Hodnocení uživatelů: 5 / 5

Aktivní hodnoceníAktivní hodnoceníAktivní hodnoceníAktivní hodnoceníAktivní hodnocení
 

 

Úvod

V článku Dynamická saturace, příčina Tranzistorového zvuku! jsem popsal děje odehrávající se ve vstupní diferenciální dvojici. Originální popis jsem publikoval v Federmann Bohumil. Tranzistorový zvuk a počítačové simulace příčin jeho vzniku. In Perspektivy elektroniky 2009 : 26. 3. 2009. Rožnov pod Radhoštěm : SŠIEŘ R.p.R., 2009, s. 19-25. ISBN 978-80-254-4052-0. Přestože byl text vydavatelem omezen na pouhých 8 stran, je z něj dostatečně patrné, že zásadní vliv na vlastnosti zesilovače má vstupní diferenciální napětí, které je nepřímo úměrné rezervě zisku. Rezerva zisku je dána zesílením otevřené smyčky, uvědomíme-li si, že následuje zlom a zesílení klesá se strmostí 20dB/okt, je tímto zesílením otevřené smyčky limitován i mezní kmitočet. Mnohé bylo popsáno i v článku Hi-Fi zesilovače a milníky jejich topologii    

 

Převodní charakteristiky

Převodní charakteristiky vstupní diferenciální dvojice s BJT vs. FET tranzistory mluví samy za sebe. Podíváme-li se na vodorovnou osu s vynesením symetrického vstupního diferenciálního napětí, pak je hned na první pohled patrné, že pokles zesílení BJT tranzistoru je mnohem významnější jak pokles u FET tranzistorů.

 

 Linearita vstupní diferenciální dvojice s BJT vs. FET tranzistory

 

Linearita vstupní diferenciální dvojice s BJT vs. FET tranzistory

 

Linearita vstupní diferenciální dvojice s BJT vs. FET tranzistory

Linearita vstupní diferenciální dvojice s BJT vs. FET tranzistory je s uvedených grafů patrná. BJT či-že bipolární tranzistory se již při vstupním diferenciálním napětí řádu jednotek mV dostávají do nelineární oblasti, kde dochází krom poklesu zesílení a zkreslení signálu i ke křížové modulaci všech přítomných kmitočtů, kdežto FET či-že polem řízené tranzistory mají tuto hranici mnohonásobně vyšší.  

 

V konečném důsledku jsou zesilovače osazené  na pozici vstupní diferenciální dvojice MOS FETy mnohem méně náchylné ke vzniku nežádoucích křížových modulací, což se rovněž projeví i v konečné kvalitě zvuku, v kombinaci s menším zkreslením, nemůže být lepší volba, což je jeden z důvodů, proč zesilovače HQQF krom extrémně vysokého zisku otevřené smyčky, bývají většinou osazeny J-FETy.

 

Závěr

Popis Dynamické saturace rázem změnil pohled na vstupní diferenciální dvojici a zesilovače jako celek, konkurence rázem překotně překopává své zesilovače na J-FETy a zbytek osazuje rychlými tranzistory, přitom zapírá a zapírá, popírá 50let slepé cesty a maže všechny stopy.